手机闪存战正酣 2006年市场将达168亿美元

  都是苹果iPod惹的祸，引发了目前存储市场中Flash芯片的火爆。随着3G时代的逐步临近以及近年来多媒体手机的发展，又将闪存芯片市场进一步推向高潮。而NAND和NOR技术的发展、融合也成就了千姿百态的应用。据市场研究机构iSuppli的多个方面数据显示，2005年NAND闪存市场比2004年增长了64%，达到109亿美元，预计2006年NAND闪存市场还将增长55%，达到168亿美元，市场容量的扩展，促使闪存芯片竞争加剧。

  随着智能手机、娱乐手机和3G手机对高容量存储需求的增加，使得NAND闪存厂商一直希望能够通过成本和存储容量的优势打入手机市场，夺取NOR闪存的地盘。目前NAND闪存在手机领域取得的成功仍主要限于手机用外部扩展卡，而非手机内存。胜创董事长刘福州在接受中国电子报记者正常采访时指出，除手机内部所采用的闪存芯片以外，在智能手机等掌上设备中，采用存储卡的形式将是NAND闪存芯片扩展市场的主要途径。而目前NOR闪存仍然是手机市场难以替代的首选存储芯片。iSuppli资料显示，NOR闪存出货占手机嵌入式闪存出货的92.8%。

  Spansion2005年在NOR闪存芯片市场一举冲顶，公司全球副总裁兼亚太区总经理王光伟分析，闪存市场可分为移动存储和集成存储，前者最重要的包含闪存卡和USB存储器，后者面向手机、消费电子和汽车。移动闪存的容量要求日益增加，目前市场基本的产品在1Gb-16Gb之间，成本控制是面对终端市场的主要的因素,而集成市场存储代码和数据，通常容量为1Mb-4Gb，强调可靠性和速度。王光伟指出，包括手机和其他嵌入式应用的集成市场，将由2005年的90亿美元稳定增长至2009年的140亿美元，其中，NOR闪存将继续占据主导地位。

  通过市场不断洗牌，NOR市场仅剩下三足鼎立的局面，即便如此“三大”中的英特尔和ST也都已经直接进了NAND闪存市场，只有Spansion固守在NOR市场。不过，Spansion也通过创新的产品，间接杀入NAND闪存市场。

  NAND闪存由于存储密度高、成本低和写入性能好，被认为较NOR闪存更适合数据存储，目前NAND闪存的容量已达到8Gb甚至16Gb。但是在手机内存方面，NAND由于体积和功耗的问题，更高容量的产品目前并不会被直接采用。王光伟表示，NAND闪存无法用作手机的嵌入式闪存，且手机生产厂商为降低整机成本和规避闪存价格波动带来的风险，也不会采用大容量的NAND闪存，大容量的NAND闪存只适合于外置手机存储卡，目前1Gb的存储容量已经足够满足高端需求。

  王光伟表示，鉴于NAND和NOR两种闪存产品均有不足之处，故Spansion推出MirrorBit NOR和ORNAND两种闪存解决方案，前者可以大幅度扩展NOR闪存芯片的存储容量，而ORNAND则是Spansion独特的架构，是一种具有NAND接口的闪存芯片方案。这两种技术能帮助手机制造商利用一个单一的平台来扩展他们的产品，从而缩短上市时间。

  针对不同价位的收集市场，Spansion提出不同解决方案，王光伟指出，对于中低端手机，Spansion能够给大家提供基于MirrorBit的NOR方案闪存架构，即可满足应用需求。对于采用基带+协处理器的高配置手机，Spansion建议采用NOR+ORNAND+xRAM的MCP存储器方案。而对于采用基带+应用处理器的智能手机，Spansion建议基带采用NOR+pSRAM的MCP存储器，而应用处理器采用NOR+ORNAND+xDRAM的MCP存储器。Spansion公司无线业务部门中国区销售总监许冠超解释说，智能手机采用两个独立的MCP存储器是为了尽最大可能避免病毒等带来的风险，即使其中的一个出了问题，另一个也能够顺利使用。

  Flash芯片市场在快速地增长的同时，过去由三星、东芝和瑞萨科技三分天下的NAND闪存市场格局也已经变化。在NAND闪存上大力投资的Hynix、美光科技和意法半导体终于获得了回报，2005年分别实现了525%、2875%和760%的增长。其中Hynix在2005年第四季度的销售额达到了6亿美元，与东芝同期的6.8亿美元已相差不多，预计2006年东芝排名第二的位置将受到Hynix的巨大威胁。相反，三大老牌NAND闪存供应商的增长率只有47%、29%和23%，大大低于整体市场64%的增长率。面对NAND市场惨烈局面，瑞萨科技淡然退出，将生产业务转交力晶，也造就我国台湾厂商开始步入这一战局。同时进场的还包括英特尔和美光合资的闪存企业IM Flash Technologies。

  IM预计今年第一季度可以量产，而力晶半导体和瑞萨科技则在此前制造合作的基础上，达成了有关1Gbit AG-AND闪存技术和销售的授权合约，新合约将允许力晶半导体以自己的品牌出售AND闪存。英特尔和力晶的加入，无疑会使2006年NAND闪存市场的竞争更激烈。而东芝和SanDisk也宣布，计划2007年3月前将其合资12英寸闪存工厂的产能由先前规划的48750片/月扩大至70000片/月。目前该工厂采用90纳米工艺，东芝已经在2月份引入70纳米工艺，并计划在2007年3月前引入52纳米工艺。

  专家预测，目前的闪存工艺发展水平为NOR采用90纳米工艺，NAND采用70纳米工艺,预计2007年NOR将迁移至65纳米工艺，NAND迁移至60纳米/50纳米工艺,到2010年，NOR将迁移至45纳米，而NAND将迁移至35纳米甚至更远。

  虽然NOR仍占据手机的主导市场，但NAND闪存厂商慢慢的开始发起冲击。继三星之后，美光在扩展其工业标准的DDR存储并推出RLDRAM的同时，也在今年2月初推出一系列的NAND和DRAM的多芯片封装(MCP)存储产品，计划2006年第四季度量产。该MCP产品有1Gb NAND和512Mb DRAM，用于手机。美光移动存储事业部NAND市场经理Bill Lu表示，为满足市场对高密度、小尺寸和低功耗器件一直增长的需求，对于美光来说，进一步提供结合NAND和DRAM的封装产品是非常自然的事情。

  无独有偶，同样是在2月份，ST同样也推出一系列结合NAND+DRAM的MCP存储器产品组合，供应3G手机和CDMA以及便携消费产品的多媒体应用需求，以在更小的空间内提供更大的存储容量。它在同一封装内整合了密度高达1Gb NAND闪存和512Mb LPSDRAM，兼容市场上主要的手机平台。新的MCP有多种不同的配置方式，能够很好的满足各种特殊的应用需求。NAND闪存和LPSDRAM使用不相同的电源和地线以及不同的控制、地址和I/O信号，准许同时访问两个存储器芯片。

  目前Spansion和ST都已经推出了采用90纳米工艺的512Mb NOR闪存，1Gb也成为了2006年NOR和NAND闪存应用经济性的分界线。随着工艺的进步，ST和英特尔均预计2008年两者的分界线Gb。基于NOR的MCP包括的RAM通常是闪存容量的1/4，而基于NAND的MCP包括的RAM通常是闪存容量的1/2。因为成本考虑，所用的RAM通常是128Mb或者以上容量的LPSDRAM。

  在SIM卡中常见的是采用EEPROM进行存储，容量从8Kb开始慢慢地增加，目前我国大规模使用的SIM卡容量不过是16Kb和32Kb的低密度卡。这一方面受限于SIM芯片本身成本问题，另一方面也在于我国市场对终端产品价格的接受度。中电华大董事总经理刘伟平指出，目前的中国SIM卡芯片厂商是真正刘于微利时代，在SIM卡项目上能够维持基本的损益平衡已经很困难，所以在扩容问题上需要谨慎考虑。

  但是对于大容量SIM卡的发展的新趋势已得到厂商认可，刘伟平指出，华大目前的SIM卡项目规划正在持续推动容量的升级，从32Kb开始一直到256Kb。预计256Kb的容量将会在5年之后左右的时间得到普及，而这样的容量也将是SIM卡本身的容量极限。

  256Kb的容量与现在动辄打到Gb级别的容量相比几乎能忽略，Spansion就已经推出大容量SIM卡方案，以目前Spansion的MirrorBit技术采用Flash架构进入SIM卡领域，直接将SIM卡容量扩充千百倍。王光伟表示，目前Spansion正在与运营商沟通，希望推动这一市场的逐步发展，但目前受限于成本，超大容量SIM卡尚难普及。

  刘伟平也指出，目前卡SIM存储芯片最大的限制并不是设计，而是在于制造工艺，在0.13微米以下的制造工艺中，我国就没有Flash芯片的生产能力，而这恰恰是市场之间的竞争的重要的条件。一旦我国有着先进的闪存制造技术，我国SIM卡市场也将开始步入用Flash进行低成本方案的时代。

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